SQJ858AEP-T1_GE3 دیتاشیت

SQJ858AEP-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQJ858AEP-T1_GE3
حجم فایل 99.689 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SQJ858AEP-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQJ858AEP-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 48W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2450pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 58A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.3mΩ@10V,14A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه