SQM50P03-07_GE3 دیتاشیت

SQM50P03-07_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQM50P03-07_GE3
حجم فایل 89.328 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SQM50P03-07_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQM50P03-07_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Ta)
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 155nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5380pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,30A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه