AP60P20Q دیتاشیت

AP60P20Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP60P20Q
حجم فایل 66.108 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت AP60P20Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP60P20Q
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 80W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.6nF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 600mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 440pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.8mΩ@4.5V,20A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه