SVF4N60CAF دیتاشیت

SVF4N60CAF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N60CAF
حجم فایل 70.093 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SVF4N60CAF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 433pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,2A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه