دیتاشیت SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2325DS-T1-GE3
حجم فایل 74.207 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2325DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 510pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 530mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,500mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه