RFP30P06-VB دیتاشیت

RFP30P06-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RFP30P06-VB
حجم فایل 68.231 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت RFP30P06-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec RFP30P06-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 41.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 67nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.765nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 280pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,14A
  • Package: TO-220AB-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه