HYG028N10NS1P دیتاشیت

HYG028N10NS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG028N10NS1B
حجم فایل 64.73 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG028N10NS1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG028N10NS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 176nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 10320pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 230A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 242pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220FPAB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه