HYG050N13NS1B دیتاشیت

HYG050N13NS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG050N13NS1B
حجم فایل 65.259 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG050N13NS1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG050N13NS1B
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه