NCE55P04S دیتاشیت

NCE NCE55P04S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE NCE55P04S
حجم فایل 82.103 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE NCE55P04S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE55P04S
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 82mΩ@10V,4A
  • Package: SOIC-8
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه