- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت VBM165R18
VBM165R18 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | VBM165R18 |
|---|---|
| حجم فایل | 65.417 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت VBM165R18 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec VBM165R18
- Power Dissipation (Pd): 208W
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 18A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
- Package: ITO-220AB-3
- Manufacturer: VBsemi Elec