دیتاشیت SI9435BDY-T1-E3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI9435BDY-T1-E3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 66.623 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت SI9435BDY-T1-E3-VB |
SI9435BDY-T1-E3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI9435BDY-T1-E3-VB
- Power Dissipation (Pd): 1.3W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 4.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10V,5.8A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: VBsemi Elec
