- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت RU190N08R
RU190N08R دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | RU190N08R |
|---|---|
| حجم فایل | 73.866 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت RU190N08R |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU190N08R
- Power Dissipation (Pd): 312W
- Drain Source Voltage (Vdss): 80V
- Continuous Drain Current (Id): 190A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,40A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon