Shenzhen ruichips Semicon RU190N08R دیتاشیت

RU190N08R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU190N08R
حجم فایل 73.866 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU190N08R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU190N08R
  • Power Dissipation (Pd): 312W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 190A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220

محصولات مشابه