NTMFD016N06CT1G دیتاشیت

NTMFD016N06CT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMFD016N06CT1G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTMFD016N06CT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMFD016N06CT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 36W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 489pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 32A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@25uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5.7pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13.6mΩ@10V,5A
  • Package: SO-8FL-EP-4.9mm
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه