HT65NF06ATZ دیتاشیت

HT65NF06ATZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HT65NF06ATZ
حجم فایل 69.552 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HT65NF06ATZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HTCSEMI HT65NF06ATZ
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1050pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 65A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 70pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.015Ω@10V,25A
  • Package: TO-220AB-3
  • Manufacturer: HTCSEMI

محصولات مشابه