- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت PNMT8N1
PNMT8N1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | PNMT8N1 |
|---|---|
| حجم فایل | 66.981 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت PNMT8N1 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1
- Power Dissipation (Pd): 150mW
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 300mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.1V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@4V,300mA
- Package: DFN-10(2x3)
- Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec