HD7N50E(BHB) دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
HD7N50E(BHB)
|
|
حجم فایل
|
75.52
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HL(Haolin Elec) HD7N50E(BHB)
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
45W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
15.5nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
530V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
750pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
11.5pF@25V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.05Ω@10V,3.5A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
HL(Haolin Elec)
