NCE65T680F دیتاشیت

NCE65T680F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65T680F
حجم فایل 86.775 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE65T680F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T680F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 31.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 435pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.3pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه