- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD80R900P7
IPD80R900P7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD80R900P7 |
|---|---|
| حجم فایل | 76.455 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت IPD80R900P7 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD80R900P7
- Power Dissipation (Pd): 45W
- Drain Source Voltage (Vdss): 800V
- Continuous Drain Current (Id): 6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@110uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,2.2A
- Package: TO-252-3
- Manufacturer: Infineon Technologies