ROHM Semicon 2SB1260T100R دیتاشیت

2SB1181

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB1181
حجم فایل 57.254 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت 2SB1181

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: ROHM Semicon 2SB1260T100R
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@0.1A,3V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-89-3

محصولات مشابه