MMBT5401LT3G دیتاشیت

MMBT5401LT3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5401LT3G
حجم فایل 82.526 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت MMBT5401LT3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MMBT5401LT3G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 300MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 150V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@5mA,50mA
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه