HSBA3016 دیتاشیت

HSBA3016

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA3016
حجم فایل 83.548 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBA3016

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA3016
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.075nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 108A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 315pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,30A
  • Package: PRPAK(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه