CS6N60A3D دیتاشیت

CS6N60A3D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS6N60A3D
حجم فایل 77.185 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS6N60A3D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS6N60A3D
  • Power Dissipation (Pd): 95W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.3Ω@10V,3A
  • Package: TO-251(IPAK)
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه