PMN25ENEH دیتاشیت

PMN25ENEH

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMN25ENEH
حجم فایل 52.393 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMN25ENEH

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMN25ENEH
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 560mW;6.25mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 597pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@6.1A,10V
  • Package: SOT-457
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه