IPD50P04P4L11 دیتاشیت

IPD50P04P4L11

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD50P04P4L11
حجم فایل 62.817 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPD50P04P4L11

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD50P04P4L11
  • Power Dissipation (Pd): 58W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@85uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.6mΩ@10V,50A
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه