FDT4N50NZU دیتاشیت

FDT4N50NZU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDT4N50NZU
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDT4N50NZU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDT4N50NZU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.1nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 476pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.42mΩ@10V,1A
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه