2N5550TA دیتاشیت

2N5550TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N5550TA
حجم فایل 68.843 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت 2N5550TA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi 2N5550TA
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 625mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 140V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@50mA,5mA
  • Package: TO-92-3
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه