IRLB3813PBF دیتاشیت

IRLB3813PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRLB3813PBF
حجم فایل 67.336 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRLB3813PBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRLB3813PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 86nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8420pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 260A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.35V@150uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.95mΩ@10V,60A
  • Package: ITO-220AB-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه