HYG045P06LA1B دیتاشیت

HYG045P06LA1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG045P06LA1B
حجم فایل 62.355 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG045P06LA1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG045P06LA1B
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 152nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 16.993nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 444pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.9mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه