HUAYI HYG023N04LS1P دیتاشیت

HYG023N04LS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG023N04LS1B
حجم فایل 65.251 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG023N04LS1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Package: TO-220FB
  • RDS(on): 2.9mΩ@4.5V
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Manufacturer: HUAYI
  • Gate Charge(Qg): 58.7nC@10V
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Pd - Power Dissipation: 150W
  • Drain to Source Voltage: 40V
  • Input Capacitance(Ciss): 4.032nF
  • Output Capacitance(Coss): 809pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 170A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 45pF

محصولات مشابه