RZF013P01TL دیتاشیت

RZF013P01TL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RZF013P01TL
حجم فایل 66.28 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RZF013P01TL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RZF013P01TL
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 800mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.4nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 290pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 21pF@6V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@4.5V,1.3A
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه