HYG068N08NR1P دیتاشیت

HYG068N08NR1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG068N08NR1P
حجم فایل 63.402 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG068N08NR1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG068N08NR1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 268W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 84nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.722nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 231pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه