TSJ10N10AT دیتاشیت

TSJ10N10AT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TSJ10N10AT
حجم فایل 70.948 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت TSJ10N10AT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TSJ10N10AT
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.134nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10.3pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,8A
  • Package: SOIC-8
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه