MS50N02 دیتاشیت

MS50N02

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MS50N02
حجم فایل 31.481 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MS50N02

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MSKSEMI MS50N02
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 60W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 27nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2000pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 750mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 200pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@4.5V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: MSKSEMI

محصولات مشابه