IRFR1018ETRPBF دیتاشیت

Infineon IRFU1018EPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon IRFU1018EPBF
حجم فایل 94.313 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت Infineon IRFU1018EPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 110W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 69nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2290pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 56A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.4mΩ@10V,47A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies