RU1E002SPTCL دیتاشیت

RU1E002SPTCL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1E002SPTCL
حجم فایل 65.8 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RU1E002SPTCL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RU1E002SPTCL
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 30pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 250mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,250mA
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه