دیتاشیت SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4463BDY-T1-E3
حجم فایل 68.859 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4463BDY-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 56nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 9.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,13.7A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه