PANJIT International MMDT3904_R1_00001 دیتاشیت

MMDT3904_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMDT3904_R1_00001
حجم فایل 70.45 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت MMDT3904_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: PANJIT International MMDT3904_R1_00001
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@5mA,50mA
  • Package: SOT-363