دیتاشیت SI2333CDS-T1-GE3.
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2333CDS-T1-GE3. |
|---|---|
| حجم فایل | 73.352 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2333CDS-T1-GE3. |
SI2333CDS-T1-GE3. Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2333CDS-T1-GE3.
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1.25W;2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 12V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1225pF@6V
- Continuous Drain Current (Id): 5.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,5.1A
- Package: SOT-23-3
- Manufacturer: Vishay Intertech
