دیتاشیت SQS401EN-T1_GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SQS401EN-T1_GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 97.076 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 14 |
دانلود دیتاشیت SQS401EN-T1_GE3 |
SQS401EN-T1_GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQS401EN-T1_GE3
- Power Dissipation (Pd): 62.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 16A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@10V,12A
- Package: PowerPAK1212-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
