دیتاشیت SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2301BDS-T1-GE3
حجم فایل 75.28 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2301BDS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 700mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 375pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 950mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@2.8A,4.5V
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech