RU1H130S دیتاشیت

RU1H130S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1H130S
حجم فایل 77.829 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RU1H130S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1H130S
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,65A
  • Package: TO-263-2
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه