ZXTP25012EFHTA دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
ZXTP25012EFHTA
|
|
حجم فایل
|
55.193
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Diodes Incorporated ZXTP25012EFHTA
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
4A
-
Power Dissipation (Pd):
1.25W
-
Transition Frequency (fT):
310MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
500@10mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
50nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
12V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
160mV@4A,400mA
-
Package:
SOT-23-3
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
