HUAYI HY19P03D دیتاشیت

HY19P03D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY19P03D
حجم فایل 69.732 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY19P03D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY19P03D
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,45A
  • Package: TO-252-2

محصولات مشابه