TPD65R950M دیتاشیت

TPD65R950M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPD65R950M
حجم فایل 72.657 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت TPD65R950M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD65R950M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 37W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 320pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.1pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 870mΩ@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه