UMD6NTR دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IMD6AT108
|
|
حجم فایل
|
72.549
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
-
Datasheet:
ROHM Semicon UMD6NTR
-
Transistor Type:
1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
150mW
-
Transition Frequency (fT):
250MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@1mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@5mA,250uA
-
Package:
SOT-363
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
