دیتاشیت IPB011N04L G

IPB011N04L G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB011N04L G
حجم فایل 54.504 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPB011N04L G

IPB011N04L G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB011N04L G
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 180A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@200uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@4.5V,100A
  • Package: TO-263-7
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه