BSC017N04NS G دیتاشیت

BSC017N04NS G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC017N04NS G
حجم فایل 60.496 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت BSC017N04NS G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC017N04NS G
  • Power Dissipation (Pd): 139W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@85uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ@10V,50A
  • Package: TDSON-8(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه