WSD50P10DN56 دیتاشیت

WSD50P10DN56

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت WSD50P10DN56
حجم فایل 79.935 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت WSD50P10DN56

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Winsok Semicon WSD50P10DN56
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 96W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 56nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.48nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 34A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 126pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,18A
  • Package: PDFN-8(5.9x5.2)
  • Manufacturer: Winsok Semicon

محصولات مشابه