STP18NM60N دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
STP18NM60N
|
|
حجم فایل
|
72.36
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
22
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STP18NM60N
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
110W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
35nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1000pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
13A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
285mΩ@6.5A,10V
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
